بررسی اثرات کوانتمی در ترانزیستورهای اثر میدان

این پایان نامه به بحث درباره شبیه سازی ، طراحی و مدل سازی ترانزیستورهای مقیاس نانو در سطح کوانتمی می پردازد. اصول اساسی در این پایان نامه را می توان به ترتیب زیر بیان کرد. فیزیک مناسب اجرا و روش شناختی مدلسازی ترانزیستورها، توسعه روش tcadتکنولوژی طراحی به کمک کامپیوتر برای شبیه سازی سطح کوانتمی، آزمایش و تخمین ویژگی های جدید انتقال حامل در ترانزیستورهای مقیاس نانو و شناسایی پیامد طراحی ابزارها مانند محدودیت مقیاس نهایی با کمک ابزارهای رشد یافته، برای بدست آوردن نتایج مطلوب وقابل بحث، دو شبیه سازی یک ودو بعدی انجام شده است. این پایان نامه بر روی نتایج و پیامدهای تکنیکی با بررسی ساختار دوگیتی متمرکز شده است. البته شایان ذکر است، که این ساختار به عنوان ساختار مطلوب ابزار در مقیاس نهایی cmosبه طور وسیعی پذیرفته شده است. همچنین بر روی اثرات کوانتمی و انتقال شبه بالستیک ناترازمند در ترانزیستورهای مقیاس کوچک تمرکز شده است و برای حل مشکلات انتقال کوانتمی از تابع گرین ناترازمند استفاده شده است. دراین پایان نامه به بررسی چگالی حامل ها ی کانال در مقیاس نانو با در نظر گرفتن اثرات کوانتمی چون اثرات کانال کوتاه و غیره پرداخته شده است با بررسی های انجام شده به نظر می رسد ساختار دو گیتی سیلیسیم روی عایق ساختار مناسبی برای به حداقل رساندن این اثرات می باشد ونمودارهای جریان کانال به ولتاژ کانال با در نظر گرفتن این اثرات به واقعیت نزدیکتر می شوند.